大陽日酸と東農工大ら次世代半導体、高純度結晶の高速成長を実現
産業ガス
大陽日酸、大陽日酸CSE、東京農工大学大学院の熊谷義直教授らはこのほど、共同で電力制御・変換の高効率化に必須な次世代パワーデバイス用半導体結晶として注目されているβ型酸化ガリウム結晶の高純度結晶の高速成長をこれまで困難とされてきた有機金属気相成長で達成した。 多くの産業分野で半導体が不可欠な存在となるなか、近年、エネルギー変換時のロスを抑制し、省エネを推進するため、材料の有する物性限界に達しつつあるシリコン（Si）結晶に代わり、ワイドギャップ半導体結晶を用いた高耐圧・低損失なパワーデバイス（ダイオードやトランジスタなど）の実現を目指す研究に対して、世界的に関心が高まっている、研究グループでは「今回の研究成果により、今後、省エネ社会実現に向けたβ-Ga2O3パワーデバイスの量産技術の実用化が期待できる」としている。
β-Ga2O3(010)ウェハ上に成長速度 16.2 ミクロン毎時で 1 時間成長したホモエピタキシャル膜の電子顕微鏡像
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